• 0.25um GaN Process
• DC~8GHz
• 4W~300 W
東科芯微電子(南京)有限公司East Microwave Device Co .，Ltd
18851922593
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作為第三代復合半導體技術，氮化鎵（GaN）基于其更高能隙，更高飽和速度等等各項特征，在射頻領域體現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，正在快速應用于對性能要求較高的射頻功率應用領域。
東科芯在氮化鎵器件的開發(fā)設計生產上擁有多年的優(yōu)勢，擁于28V GaN 和 50V GaN 兩種氮化鎵工藝的功率器件產品系列。
• 在器件設計上
• 多年深厚的設計經驗
• 獨有的超寬帶設計能力
• 諧波控制的高效設計
• 在批量生產上，領先的且能夠保證性能一致性的生產控制能力。
• 在技術支持上，快速的技術支持，和靈活的參考應用開發(fā)。
• 在產品種類豐富度上，力爭提供行業(yè)最為豐富的產品系列。
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